IRF640 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF640(87) 검색 결과.
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제조업체

IRF640 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF640" - Total : 86 ( 1/5 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
NXP Semiconductors	IRF640	95Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF640	107Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET Oct-1999
Vishay Siliconix	IRF640	168Kb/8P	Power MOSFET 16-Nov-15
Vishay Siliconix	IRF640	1Mb/8P	Power MOSFET 07-Jul-08
Fairchild Semiconductor	IRF640	916Kb/10P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRF640	178Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640	132Kb/7P	18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Suntac Electronic Corp.	IRF640	168Kb/6P	POWERTR MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF640	161Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Dc Components	IRF640	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Weitron Technology	IRF640	994Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET
Comset Semiconductor	IRF640	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching
Nell Semiconductor Co.,...	IRF640	621Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
First Components Intern...	IRF640	158Kb/5P	18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF640	453Kb/6P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF640	326Kb/8P	N - CHANNEL 200V - 0.150W - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAYÔ MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF640	140Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF640	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF640	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS

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IRF640 에 대한 간략한 설명

IRF640은 전력 MOSFET(Metal Oxide-Oxide Magnetic Conductor Field Effect Transistor)의 특정 부품 번호입니다. MOSFET은 스위칭 및 증폭 애플리케이션, 특히 고전력 및 고전압 애플리케이션을 위한 전자 회로에 일반적으로 사용되는 반도체 장치입니다.

IRF640 전력 MOSFET의 주요 기능과 사양은 다음과 같습니다.

유형: IRF640은 N채널 전력 MOSFET입니다.

패키지: 일반적으로 TO-220, TO-220AB 또는 고전력 MOSFET의 일반적인 패키지인 유사한 패키지와 같은 풀 홀 패키지에 포함됩니다. 이 패키지는 우수한 열 성능을 제공합니다.

극성: N채널 MOSFET으로서 전류가 활성화되면 전류가 드레인에서 소스로 흐릅니다.

전압 및 전류 정격: IRF640은 높은 전압 및 전류 정격으로 유명합니다. 이는 일반적으로 200V를 초과하는 높은 드레인 소스 전압(VDS) 정격을 처리하도록 설계되는 반면, 높은 드레인 전류(ID) 정격은 일반적으로 수 암페어 범위에 있습니다.

저항(RDS(ON)): 저항은 MOSFET이 표시된 상태에 있을 때 제공되는 저항을 나타내는 중요한 매개변수입니다. IRF640은 일반적으로 저항이 낮으므로 고전류 애플리케이션에서 전력 손실을 최소화하는 데 중요합니다.

게이트 임계값 전압(VGS(TH)): 이는 MOSFET이 작동하기 시작하는 게이트-소스 전압입니다. IRF640의 경우 이는 일반적으로 2~4V 범위에 있습니다.

애플리케이션: IRF640 MOSFET은 전력 증폭, 모터 제어, 전압 조정과 같은 고전력 스위칭 애플리케이션과 고전력 전자 회로용 빌딩 블록으로 사용됩니다.

핀아웃: IRF640 MOSFET의 TO-220 패키지 핀아웃에는 드레인, 게이트, 소스라는 세 개의 와이어가 포함되어 있습니다.

IRF640 대체품

IRF640은 전력 스위칭 애플리케이션에 일반적으로 사용되는 널리 사용되는 N채널 MOSFET 트랜지스터입니다. IRF640 MOSFET을 교체하려는 경우 유사하거나 호환되는 사양을 갖춘 여러 대안을 고려할 수 있습니다. 적합한 대체 제품은 다음과 같습니다.

IRF540: IRF540은 IRF640과 전압 및 전류 정격이 유사한 N채널 MOSFET입니다. 대체품으로 자주 사용됩니다.

IRF530: IRF530은 IRF640과 유사한 특성을 갖고 있으며 많은 애플리케이션에서 대체품으로 사용할 수 있는 또 다른 N채널 MOSFET입니다.

IRF640N: IRF640의 사양과 성능이 향상된 업데이트 버전입니다. IRF640과 호환되며 회로의 잠재적인 향상을 대체하는 데 사용할 수 있습니다.

IRF740: IRF640에 비해 IRF740은 더 높은 전압 및 전류 정격을 갖춘 N채널 MOSFET입니다. 더 높은 전압이나 전류 처리 능력이 필요한 경우 대안이 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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