IRF740 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF740(139) 검색 결과.
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제조업체

IRF740 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF740" - Total : 135 ( 1/7 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
STMicroelectronics	IRF740	93Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Oct-1998
Vishay Siliconix	IRF740	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF740	276Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF740	157Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF740	154Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF740	894Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF740	56Kb/7P	10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Suntac Electronic Corp.	IRF740	100Kb/3P	POWER MOSFET
Dc Components	IRF740	209Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	IRF740	342Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF740	71Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
First Components Intern...	IRF740	444Kb/3P	10A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF740	345Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	IRF740	279Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SYC Electronica	IRF740	234Kb/7P	N - CHANNEL 400V - 0.48 W - 10 A - TO-220 PowerMESHÔ MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF740	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Analog Devices	IRF7401	279Kb/22P	Thermoelectric Cooler Controller REV. D
Analog Devices	IRF7401	416Kb/24P	Thermoelectric Cooler Controller 11/03-Data Sheet Changed from REV. B to REV. C.
International Rectifier	IRF7401	118Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRF7401	402Kb/8P	N-Channel MOSFET Rev:2023A2

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IRF740 에 대한 간략한 설명

IRF740은 고전력 스위칭 및 증폭 애플리케이션을 위한 전자 회로에 사용되는 전력 MOSFET(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터)입니다. 이는 IRF 전력 MOSFET 시리즈의 일부이며 고전류 및 전압 성능을 처리하는 데 사용됩니다. 여기 IRF740 MOSFET의 주요 기능 및 사양은 다음과 같습니다.

극성: N 채널.

IRF740은 N채널 MOSFET입니다. 즉, 전자의 흐름을 사용하여 전기의 흐름을 제어합니다.
드레인 소스 전압(VDS): 일반적으로 정격은 400V입니다.

MOSFET이 OFF 상태일 때 드레인과 소스 단자 사이에 인가할 수 있는 최대 전압입니다.
연속 드레인 전류(ID): 일반적으로 정격은 10A입니다.

MOSFET이 해당 상태에서 지속적으로 처리할 수 있는 최대 전류입니다.
저항(RDS(on)): 일반적으로 낮으며 일반적으로 밀리옴 범위입니다.

MOSFET이 완전히 켜졌을 때 드레인과 소스 단자 사이의 저항입니다.
게이트 임계값 전압(VGS(TH)): 일반적으로 약 2V~4V입니다.

MOSFET을 켜는 데 필요한 전압입니다.
VGS(게이트 소스 전압): 일반적으로 정격 ±20V입니다.

게이트와 소스 단자 사이에 인가할 수 있는 최대 전압입니다.
패키지: IRF740은 일반적으로 TO-220 또는 TO-220AB 패키지로 제공되며 우수한 열 성능과 공급 냉각 설치에 대한 설치 용이성을 제공합니다.

애플리케이션: IRF740 MOSFET은 스위칭 전원 공급 장치, 모터 제어 회로, 증폭기 출력단 및 고전류 스위칭이 필요한 기타 애플리케이션과 같은 고전력 애플리케이션에 일반적으로 사용됩니다.

열 방출: IRF740은 작동 중에 열을 생성할 수 있으므로 고전력 애플리케이션의 경우 적절한 열 관리(가열 포함)가 필요할 수 있습니다.

눈사태 에너지 등급: IRF740에는 과도 전압 스파이크 중에 MOSFET이 안전하게 흡수할 수 있는 에너지의 양을 지정하는 눈사태 에너지 등급이 있습니다.

IRF740 대체품

IRF740은 고속 스위칭 애플리케이션용으로 설계된 N채널 전력 MOSFET으로, 최대 드레인-소스 전압 400V와 연속 드레인 전류 10A를 제공합니다. 여러 MOSFET이 유사한 특성을 제공하며 대체 역할을 할 수 있습니다.

IRF740A:

최대 드레인-소스 전압: 400V
연속 드레인 전류: 10A
총 게이트 전하: 36nC
패키지: TO-220AB
IRF740LC:

최대 드레인-소스 전압: 400V
연속 드레인 전류: 10A
향상된 스위칭 성능을 위한 낮은 정전 용량
패키지: TO-220AB
IRFB13N50A:

최대 드레인-소스 전압: 500V
연속 드레인 전류: 13A
총 게이트 전하: 94nC
패키지: TO-220AB
IRFB17N50L:

최대 드레인-소스 전압: 500V
연속 드레인 전류: 17A
효율적인 스위칭을 위한 낮은 온 저항
패키지: TO-220AB
교체품을 선택할 때 다음 요소를 고려하십시오.

전압 및 전류 정격: 대체 MOSFET이 회로에서 필요한 전압 및 전류 레벨을 처리할 수 있는지 확인하십시오.
온 저항(R_DS(on)): 온 저항이 낮을수록 효율이 높아지고 열 발생이 줄어듭니다.
게이트 충전: 총 게이트 충전이 낮을수록 스위칭 시간이 빨라지고 전력 손실이 감소할 수 있습니다.
패키지 유형 및 핀 구성: 실제 패키지와 핀아웃이 회로 레이아웃과 호환되는지 확인하십시오.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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