IRF830 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF830(106) 검색 결과.
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제조업체

IRF830 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF830" - Total : 104 ( 1/6 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
NXP Semiconductors	IRF830	58Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF830	92Kb/8P	N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
ON Semiconductor	IRF830	119Kb/3P	Power Field Effect Transistor August, 2006 ??Rev. 1
Vishay Siliconix	IRF830	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Intersil Corporation	IRF830	56Kb/7P	4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Kersemi Electronic Co.,...	IRF830	670Kb/7P	Power MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF830	141Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Suntac Electronic Corp.	IRF830	225Kb/4P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF830	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF830	205Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Silikron Semiconductor ...	IRF830	452Kb/6P	High current, high speed switching
Comset Semiconductor	IRF830	109Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Nell Semiconductor Co.,...	IRF830	342Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF830	122Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
New Jersey Semi-Conduct...	IRF830	122Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
Inchange Semiconductor ...	IRF830	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Transys Electronics	IRF830	282Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
First Components Intern...	IRF830	259Kb/5P	4.5A 500V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF830	5Mb/30P	Drives 1 x 70W HID lamp
International Rectifier	IRF830	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD

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IRF830 에 대한 간략한 설명

IRF830은 특정 유형의 전력 MOSFET(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터)입니다. IRF830 MOSFET에 대한 정보는 다음과 같습니다.

제조업체: IRF830 MOSFET은 일반적으로 여러 반도체 회사에서 제조하므로 다양한 제조업체에서 사용할 수 있습니다.

유형: 이것은 드레인과 소스 단자 사이의 전류 흐름을 제어하기 위해 게이트 단자에 양의 전압을 적용하는 N 채널 전력 MOSFET입니다.

전압 및 정격 전류: IRF830 MOSFET은 일반적으로 최대 드레인 소스 전압(VDS)이 500V이고 연속 드레인 전류(ID) 정격이 4.5AMP입니다. 또한 최대 전력 손실(PD) 등급은 약 75와트입니다.

패키지 유형: IRF830 MOSFET은 일반적으로 TO-220 패키지로 제공되며 장착하기 쉬운 PCB에 전체 홀 장착 옵션을 제공합니다.

특징: IRF830 MOSFET은 낮은 저항, 높은 스위칭 속도 및 우수한 열 특성과 같은 기능을 제공합니다. 전원 공급 장치, 모터 제어 및 일반 스위칭 회로를 포함한 다양한 응용 분야에 적합합니다.

IRF830 대체품

다음은 IRF830 MOSFET의 대체품으로 간주할 수 있는 몇 가지 대체 옵션입니다.

IRF840: IRF840은 일반적으로 사용되는 전력 MOSFET이며 IRF830의 대체품으로 사용할 수 있습니다. 전압 및 전류 정격이 비슷하여 많은 응용 분야에 적합합니다.

IRF840A: IRF840A는 열 저항이 향상된 IRF840의 변형입니다. 더 나은 방열 기능을 제공하며 고전력 애플리케이션에서 IRF830의 대체품으로 사용할 수 있습니다.

IRF840B: IRF840B는 입력 커패시턴스가 더 낮은 IRF840의 또 다른 변형입니다. 더 빠른 스위칭 특성을 제공하며 더 빠른 스위칭 속도가 필요한 애플리케이션에서 IRF830을 대체할 수 있습니다.

IRFZ44: IRFZ44는 IRF830과 비슷한 전압 및 정격 전류를 가진 전력 MOSFET입니다. 그것은 다양한 응용 분야에서 널리 사용되며 많은 경우에 적절한 대체품으로 사용될 수 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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