IRF9530 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF9530(57) 검색 결과.
일치하는	IRF9530(10) IRF9530N(4) IRF9530S(4)
시작하는	IRF9530(45) IRF9530-(1) IRF9530N(23) IRF9530P(6) IRF9530S*(7)
끝나는	No Data
포함하는	IRF9530(1)

제조업체

IRF9530 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF9530" - Total : 56 ( 1/3 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Samsung semiconductor	IRF9530	508Kb/12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9530	378Kb/6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9530	566Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF9530	158Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Intersil Corporation	IRF9530	63Kb/7P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
International Rectifier	IRF9530	449Kb/6P	TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	IRF9530	303Kb/2P	isc P-Channel Mosfet Transistor
SYC Electronica	IRF9530	155Kb/6P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Guangdong Kexin Industr...	IRF9530	1Mb/3P	P-Channel MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF9530	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Seme LAB	IRF9530-220M	18Kb/2P	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
International Rectifier	IRF9530N	113Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530N	2Mb/7P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530N	335Kb/2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NL	173Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530NL	1Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530NL	273Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NLPBF	758Kb/10P	Advanced Process Technology Surface Mount
	IRF9530NLPBF	767Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF9530NPBF	123Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF9530 에 대한 간략한 설명

IRF9530은 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터인 P채널 MOSFET입니다. N채널과 달리 P채널 MOSFET 소스 전류는 게이트에 전압이 인가될 때 소스 전압보다 작습니다. (향상 모드 장치 네거티브 게이트 소스 전압) 일반적으로 로드 스위치가 회로의 접지 또는 네거티브 측에 의해 제어되는 애플리케이션에 사용됩니다.

IRF9530의 주요 기능은 다음과 같습니다.

VDSS(드레인 소스 고장 전압): 이는 게이트 소스와 소스가 단락된 상태에서 드레인 소스에서 소스로 적용될 수 있는 최대 전압입니다. IRF9530의 경우 이 전압은 일반적으로 약 -100V입니다.

ID(연속 배수 전류): IRF9530은 일반적으로 -12A 정도의 대량의 연속 전류를 처리할 수 있어 고전류 애플리케이션에 적합합니다.

RDS(ON)(드레인 소스 저항): MOSFET이 켜졌을 때 드레인과 소스 사이의 상태 저항으로, IRF9530의 경우 이 저항이 상대적으로 낮아 전력 손실을 줄이는 데 도움이 됩니다.

VGS(TH)(게이트 임계값 전압): MOSFET이 켜지기 시작하는 전압으로, IRF9530(IRF9530)의 P채널 장치의 경우 이는 일반적으로 음의 전압이며 일반적으로 -2V ~ -4V입니다.

전력 소비: IRF9530이 소비할 수 있는 최대 전력은 열 제한을 이해하는 데 중요하며 일반적으로 약 48W입니다.

소프트웨어 패키지: TO-220 및 전원 공급 장치에 일반적으로 사용되는 유사한 패키지로 제공됩니다.

작동 온도: 작동 온도 범위는 안정성과 신뢰성을 위한 요소이며 IRF9530의 경우 일반적으로 -55°C ~ +150°C입니다.

IRF9530과 같은 P-채널 MOSFET은 포지티브 게이트-소스 전압을 적용하기 위해 차지 펌프나 기타 복합 구동 회로가 필요하지 않기 때문에 특히 하이사이드 스위칭 구성에서 더 간단한 구동 회로를 만드는 데 사용할 수 있습니다. 이는 전력 관리 회로, 모터 제어 및 기타 전기 스위칭 애플리케이션에서 일반적입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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