IRFP250 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRFP250(46) 검색 결과.
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시작하는	IRFP250(27) IRFP250M(5) IRFP250N(6) IRFP250P(4)
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포함하는	IRFP250(2)

제조업체

IRFP250 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRFP250" - Total : 44 ( 1/3 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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IRFP250 에 대한 간략한 설명

IRFP250은 인버터, 전원 공급 장치, 모터 드라이브, 오디오 증폭기와 같은 전력 전자 애플리케이션의 스위칭 및 증폭용으로 설계된 고전력 N채널 MOSFET입니다. International Rectifier(현재 Infineon Technologies의 자회사)에서 처음 제조된 IRFP250은 높은 전압 처리, 강력한 전류 용량, 낮은 온 저항으로 높은 평가를 받고 있어 중전력 및 고전력 시스템에 적합합니다.

이 MOSFET은 드레인-소스 전압(V_DS)이 200V이며, 최대 30A의 연속 드레인 전류를 처리할 수 있습니다. 적절한 방열판 설치 시 최대 전력 소모량은 약 200W입니다. 비교적 낮은 R_DS(on)(일반적으로 약 0.085Ω)과 2.0~4.0V의 게이트 문턱 전압을 특징으로 하여 표준 게이트 드라이버와 함께 효율적으로 작동할 수 있습니다. 로직 레벨 MOSFET은 아니지만, 전력 스위칭 회로에서 일반적으로 사용되는 10V 게이트 구동 신호에 사용하기에 매우 적합합니다.

TO-247 케이스에 패키징된 IRFP250은 탁월한 열 성능을 제공하며, 고전류 스위칭 동작 시 발생하는 열을 관리하기 위해 히트싱크에 장착하도록 설계되었습니다.

전반적으로 IRFP250은 다양한 산업, 자동차 및 고전력 전자 설계에 효율적인 스위칭 성능과 고전류 처리를 제공하는 견고하고 신뢰할 수 있는 전력 MOSFET입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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