FLL200IB-1 데이터시트(PDF) - Eudyna Devices Inc

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FLL200IB-1 데이터시트 (PDF) - Eudyna Devices Inc

FLL200IB-1 Datasheet PDF - Eudyna Devices Inc


부품명	FLL200IB-1

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제조업체	EUDYNA [Eudyna Devices Inc]

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상세설명	L-Band Medium & High Power GaAs FET

FLL200IB-1 Datasheet (PDF)

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부품명	FLL200IB-1

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제조업체	EUDYNA [Eudyna Devices Inc]

홈페이지	http://www.sei-device.com/index.asp

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상세설명	L-Band Medium & High Power GaAs FET

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유사한 부품 번호 - FLL200IB-1

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Eudyna Devices Inc	FLL21E004ME	252Kb / 6P	High Voltage - High Power GaAs FET
	FLL21E010MK	308Kb / 6P	High Voltage - High Power GaAs FET
	FLL21E040IK	371Kb / 6P	High Voltage - High Power GaAs FET
	FLL21E045IY	306Kb / 6P	L,S-band High Power GaAs FET
	FLL21E060IY	310Kb / 6P	L,S-band High Power GaAs FET

유사한 설명 - FLL200IB-1

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
fujitsu semiconductor	FLL177	229Kb / 4P	L-BAND MEDIUM & HIGH POWER GAAS FET
List of Unclassifed Man...	FLU35ZM	225Kb / 8P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
fujitsu semiconductor	FLU17ZM	236Kb / 8P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
fujitsu semiconductor	FLL1200IU-2	92Kb / 4P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
List of Unclassifed Man...	FLL400IP-3	221Kb / 4P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
Eudyna Devices Inc	FLL57MK	101Kb / 4P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
	FLL107ME	83Kb / 4P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
	FLL300IL-1	124Kb / 6P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
	FLL600IQ-3	107Kb / 4P	L-Band Medium & High Power GaAs FET
	FLU10ZM	235Kb / 8P	L-Band Medium & High Power GaAs FET

Eudyna Devices Inc 에 대하여

Eudyna Devices Inc.는 고주파, 고전력 및 고신뢰성 반도체 장치의 설계, 개발 및 생산을 전문으로 하는 반도체 회사입니다. 이 회사는 1999년 일본에서 설립되었으며 이후 미국, 유럽 및 아시아에 자회사를 두고 전 세계적으로 확장되었습니다.

Eudyna Devices Inc.는 무선 통신, 위성 방송 및 레이더 시스템과 같은 다양한 애플리케이션에 사용되는 마이크로웨이브 및 밀리미터파 트랜지스터, 증폭기 및 다이오드를 포함한 광범위한 제품을 생산합니다. 이 회사의 제품은 높은 성능과 신뢰성으로 유명하며 통신 및 방위 산업의 주요 기업에서 사용됩니다.

2015년 Eudyna Devices Inc.는 Fujitsu Electronics Inc.와 합병하여 새로운 회사인 Fujitsu Electronics Inc.를 설립했습니다. 이 회사는 계속해서 Fujitsu 브랜드로 운영되며 제품은 Fujitsu RF Devices라는 이름으로 판매됩니다.

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