IXKH35N60C5 데이터시트(PDF) - IXYS Corporation

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IXKH35N60C5 데이터시트 (PDF) - IXYS Corporation

IXKH35N60C5 Datasheet PDF - IXYS Corporation


부품명	IXKH35N60C5

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제조업체	IXYS [IXYS Corporation]

홈페이지	http://www.ixys.com

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상세설명	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXKH35N60C5 Datasheet (PDF)

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부품명	IXKH35N60C5

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제조업체	IXYS [IXYS Corporation]

홈페이지	http://www.ixys.com

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상세설명	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

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IXKH35N60C5 제품 세부 정보

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Features

• fast COOLMOS®* power MOSFET 4th generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

Applications

• Switched mode power supplies(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

유사한 부품 번호 - IXKH35N60C5

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Inchange Semiconductor ...	IXKH35N60C5	383Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

유사한 설명 - IXKH35N60C5

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
IXYS Corporation	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
IXYS Corporation	IXKC25N80C	119Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface
Infineon Technologies A...	SPD06N60C3	401Kb / 11P	Ultra low gate charge
STMicroelectronics	STF9N80K5	762Kb / 16P	Ultra-low gate charge 11-Nov-2015
	STD5N95K5	1Mb / 26P	Ultra-low gate charge 04-Jan-2017
	STD6N90K5	825Kb / 16P	Ultra-low gate charge November 2016 Rev 1
	STD7N90K5	817Kb / 16P	Ultra-low gate charge October 2016 Rev 1
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IXYS Corporation	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
IXYS Corporation	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXYS Corporation 에 대하여

IXYS Corporation은 전력 반도체 및 통합 회로 (ICS)의 설계, 제조 및 판매를 전문으로하는 기술 회사입니다. 이 회사는 1983 년에 설립되었으며 캘리포니아 밀피 타스에 본사를두고 있습니다. IXYS는 전 세계 60 개 이상의 국가에서 운영 및 고객이있는 전 세계적으로 존재합니다.

IXYS는 전력 관리 및 제어 애플리케이션을위한 전력 MOSFET, 전력 바이폴라 트랜지스터, 하이리스터, 다이오드 및 IC를 포함한 광범위한 제품 및 솔루션을 제공합니다. 이 회사의 제품은 재생 에너지, 산업, 자동차 및 소비자 전자 제품을 포함한 다양한 응용 분야에서 사용됩니다.

IXYS는 전력 반도체 기술에 대한 전문 지식과 고객에게 고성능 및 비용 효율적인 솔루션을 제공하는 능력으로 유명합니다. 이 회사는 혁신 및 연구 개발에 전념하고 있으며 Power Semiconductor 시장을위한 새로운 기술 및 솔루션 개발에 적극적으로 참여하고 있습니다. IXYS는 Power Semiconductor 시장에서 인정받는 리더이며 고객에게 고품질 제품과 서비스를 계속 제공하고 있습니다.

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