IXKC25N80C 데이터시트(PDF) - IXYS Corporation

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IXKC25N80C 데이터시트 (PDF) - IXYS Corporation

IXKC25N80C Datasheet PDF - IXYS Corporation


부품명	IXKC25N80C

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제조업체	IXYS [IXYS Corporation]

홈페이지	http://www.ixys.com

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상세설명	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

IXKC25N80C Datasheet (PDF)

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IXKC25N80C Datasheet PDF - IXYS Corporation


부품명	IXKC25N80C

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제조업체	IXYS [IXYS Corporation]

홈페이지	http://www.ixys.com

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상세설명	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

IXKC25N80C 데이터시트 (HTML) - IXYS Corporation

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IXKC25N80C 제품 세부 정보

N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
   - high power dissipation
   - isolated mounting surface
   - 2500 V electrical isolation
• 3rd generation CoolMOS™ 1) power MOSFET
   - high blocking capability
   - lowest resistance
   - avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
• Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Low drain to tab capacitance (<30 pF)

Applications
• Switched mode power supplies (SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
• Welding
• Inductive heating

Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density

유사한 부품 번호 - IXKC25N80C

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
IXYS Corporation	IXKC20N60C	520Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKC20N60C	305Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKC23N60C5	290Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IXKC23N60C5	306Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

유사한 설명 - IXKC25N80C

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
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	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
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	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
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	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXYS Corporation 에 대하여

IXYS Corporation은 전력 반도체 및 통합 회로 (ICS)의 설계, 제조 및 판매를 전문으로하는 기술 회사입니다. 이 회사는 1983 년에 설립되었으며 캘리포니아 밀피 타스에 본사를두고 있습니다. IXYS는 전 세계 60 개 이상의 국가에서 운영 및 고객이있는 전 세계적으로 존재합니다.

IXYS는 전력 관리 및 제어 애플리케이션을위한 전력 MOSFET, 전력 바이폴라 트랜지스터, 하이리스터, 다이오드 및 IC를 포함한 광범위한 제품 및 솔루션을 제공합니다. 이 회사의 제품은 재생 에너지, 산업, 자동차 및 소비자 전자 제품을 포함한 다양한 응용 분야에서 사용됩니다.

IXYS는 전력 반도체 기술에 대한 전문 지식과 고객에게 고성능 및 비용 효율적인 솔루션을 제공하는 능력으로 유명합니다. 이 회사는 혁신 및 연구 개발에 전념하고 있으며 Power Semiconductor 시장을위한 새로운 기술 및 솔루션 개발에 적극적으로 참여하고 있습니다. IXYS는 Power Semiconductor 시장에서 인정받는 리더이며 고객에게 고품질 제품과 서비스를 계속 제공하고 있습니다.

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