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GP800NSS33 데이터시트 (PDF) - Dynex Semiconductor
GP800NSS33 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
부품명 GP800NSS33
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제조업체  DYNEX [Dynex Semiconductor]
홈페이지  http://www.dynexsemi.com
Logo DYNEX - Dynex Semiconductor
상세설명 Single Switch IGBT Module Preliminary Information

GP800NSS33 Datasheet (PDF)

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GP800NSS33 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor

부품명 GP800NSS33
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제조업체  DYNEX [Dynex Semiconductor]
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상세설명 Single Switch IGBT Module Preliminary Information

GP800NSS33 데이터시트 (HTML) - Dynex Semiconductor


GP800NSS33 제품 세부 정보

The Powerline range of high power modules includes dual, half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP800NSS33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate with AL2O3 Substrate
■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS
■ High Power Inverters
■ Motor Controllers
■ Induction Heating
■ Resonant Converters




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Dynex Semiconductor 에 대하여

Dynex 반도체는 고전력 반도체의 설계 및 제조를 전문으로하는 영국 회사였습니다.
이 회사는 1967 년에 설립되었으며 영국 링컨에 본사를 두었습니다.
Dynex는 고전력 반도체 기술에 대한 전문 지식과 전력 변환, 모터 제어 및 재생 가능 에너지 시스템과 같은 다양한 응용 분야에 맞춤형 설계 전력 장치를 제공 할 수있는 능력으로 유명했습니다.
2015 년에 Dynex는 전력 및 센서 시스템의 주요 제공 업체 인 Infineon Technologies에 의해 인수되었습니다.
Dynex 브랜드는 더 이상 사용되지 않지만 기술과 제품은 Infineon의 포트폴리오의 일부입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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