STGD19N40LZ 데이터시트(PDF) - STMicroelectronics

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STGD19N40LZ 데이터시트 (PDF) - STMicroelectronics

STGD19N40LZ Datasheet PDF - STMicroelectronics


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제조업체	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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상세설명	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

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STGD19N40LZ 제품 세부 정보

Description
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gateemitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems. DPAK 1 3 TAB C (2 or TAB) E (3) G (1) RG RGE SC30180

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH
■ ESD gate-emitter protection
■ Gate-collector high voltage clamping
■ Logic level gate drive
■ Low saturation voltage
■ High pulsed current capability
■ Gate and gate-emitter resistor

Applications
■ Pencil coil electronic ignition driver

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STMicroelectronics 에 대하여

Stmicroelectronics는 스위스 제네바에 본사를 둔 다국적 전자 및 반도체 제조업체입니다.

이 회사는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 응용 프로그램을위한 마이크로 컨트롤러, 센서, 전력 증폭기 및 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.

1987 년에 설립 된 Stmicroelectronics는 100 개 이상의 국가에서 운영되고 있으며 세계에서 가장 큰 반도체 회사 중 하나입니다.

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