FS75R07N2E4 datasheet(6/9 Pages) INFINEON

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS75R07N2E4

IGBT-Module

IGBT-modules

preparedby:AS

approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-06

revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

Eon=f(RG),Eoff=f(RG)

VGE=±15V,IC=75A,VCE=300V

RG [

Ω]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

5,5

6,0

Eon, Tvj = 125°C

Eoff, Tvj = 125°C

Eon, Tvj = 150°C

Eoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

ZthJC=f(t)

t [s]

0,001

0,01

0,1

0,01

0,1

ZthJC : IGBT

ri[K/W]:

τi[s]:

0,036

0,01

0,198

0,02

0,192

0,05

0,174

0,1

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)

IC=f(VCE)

VGE=±15V,RGoff=5.1

Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

100

200

300

400

500

600

700

105

120

135

150

165

IC, Modul

IC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)

IF=f(VF)

VF [V]

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

105

120

135

150

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

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