HM1668 datasheet(3/13 Pages) HMSEMI

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3、电特性

3.1、极限参数（Ta=25℃，GND=0V）

参数名称

符号

条件

额定值

单位

逻辑电源电压

VDD

-0.5～+7.0

逻辑输入电压

VI1

-0.5～VDD+0.5

LED Seg 驱动输出电流

IO1

-50

LED Grid 驱动输出电流

IO2

+200

功率损耗

400

工作温度

Topt

-40～+80

℃

储存温度

Tstg

-65～+150

℃

焊接温度

10 秒

250

℃

3.2、推荐使用条件（Ta= -20℃～+70℃，GND=0V）

参数名称

符号

最小

典型

最大

单位

逻辑电源电压

VDD

5.5

高电平输入电压

VIH

0.7VDD

VDD

低电平输入电压

VIL

0.3VDD

3.3、电气特性

3.3.1、电气特性（Ta= -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V ,GND=0V）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

IOH1

Seg1/KS1～Seg10/KS10,

VO=VDD-2V

-20

-25

-40

高电平输出电流

IOH2

Seg1/KS1～Seg10/KS10,

VO=VDD-3V

-20

-30

-50

低电平输出电流

IOL1

Grid1～Grid4,VO= 0.3V

140

低电平输出电流

IDATA

VO=0.4V, DIO

高电平输出电流

容许量

ITOLSG

VO=VDD-3V,

Seg1/KS1～Seg10/KS10

输入电流

VI=VDD/GND

±1

高电平输入电压

VIH

CLK、DIO、STB

0.7VDD

低电平输入电压

VIL

CLK、DIO、STB

0.3VDD

滞后电压

CLK、DIO、STB

0.35

动态电流损耗

IDDdyn

无负载，显示关

输出下拉电阻

K1~K2

KΩ

3.3.2、开关特性（Ta= -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

振荡频率

fOSC

450

KHz

tPLZ

300

传输延迟时间

tPZL

CLK→DIO

CL=15pF, RL=10KΩ

100

TTZH1

Seg1/KS1～

Seg10/KS10

上升时间

TTZH2

CL=300pF

Grid1～Grid4

0.5

HM1668

HM1668 데이터시트(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM1668 데이터시트(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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