PN8034SSC-R1B datasheet(3/10 Pages) CHIPOWN

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PN8034

Chipown

www.chipown.com

Rev.1801

2018 年 1 月

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极限工作范围

VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~35V

SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V

结工作温度范围

……….…..….…..…...….….-40~150℃

存储温度范围

………………………....…. ….-55~150℃

管脚焊接温度（

10秒）……………..……………...260℃

封装热阻

RθJC （DIP-7）………….……………….40℃/W

封装热阻

RθJC （SOP-7）…........………………….80℃/W

人体模式

ESD 能力(1)（HBM）……..…...…...……...

±6kV

空气模式

ESD 能力(2)……….………..….…….……...8kV

漏极脉冲电流（

Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

备注：

1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。

2. 此项测试条件为静电测试仪对芯片引脚直接放电，企业内部标准，结果仅供参考。

电气特性

(TA = 25°C, V

DD = 11 V,

除非另有说明

)

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

功率部分

功率管耐压

BVDSS

ISW =250uA

650

690

关态漏电流

IOFF

Vsw =500V

100

μA

导通电阻

DIP-7

RDS(on)

ISW = 400mA, T

=25°C

13.5

Ω

导通电阻

SOP-7

RDS(on)

ISW = 400mA, T

=25°C

8.0

Ω

高压启动电压

VSW_START

VDD=VDDon – 1V

VDD电压部分

VDD启动阈值电压

VDDon

10.5

11.5

12.5

VDD欠压保护阈值电压

VDDoff

VDD回差

VDDhys

2.5

VDD钳位保护电压

VDDclamp

VDD反馈基准电压

VDD-REF

12.3

VDD电流部分

启动管充电电流

IDDch

VDD=10V

-2

静态电流

IDD0

VDD=6V

0.3

0.6

0.9

工作电流

IDD1

VDD =13V

1.2

内部电流检测

尖峰电流限流值

Ilimit

490

590

690

过流检测前沿消隐时间

TLEB

300

反馈输入

最小关断时间

Toffmin

μs

最大开启时间

Tonmax

μs

过温保护

过温保护温度

TSD

135

150

°C

过温保护回差

THYST

°C

重启保护

异常重启时间

TRESTART

CVDD=4.7μF

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