APS8233F datasheet(6/8 Pages) OPSUN

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深圳市奥普尚科技有限公司

ShenZhen OPSUN Technology Co., Ltd

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3、APS8233C,DFN6(2*2*0.75mm) ,CMOS 输出(QC)参考电路图

4、APS8233B,DFN6(2*2*0.75mm) , NMOS 开漏输出(QD)参考电路图

八、电气特性

1、电气特性极限参数

参数

标号

条件

范围

单位

供电电压

VDD

─

-0 to +5.5

输入电压

所有 I/O 口

-0.3 to VDD+0.3

工作温度

─

-40～+85

℃

储藏温度

TSTG

─

-50～+125

℃

芯片抗静电强度 HBM

ESD

2、直流特性:如无特殊说明 VDD=2.2V～5.5V，Temp=25ºC

参数

标号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

工作电压

VDD

2.2

5.5

内部稳压电路输出

VREG

2.2

2.3

2.4

输入高电压

VIH

0.75

1.0

VDD

输入低电压

VIL

0.25

VDD

输出 Source 电流

IOH

VDD=3V, VOH=2.4V

-4

输出 Sink 电流

IOL

VDD=3V, VOL=0.6V

8.5

下拉电阻

RPL

VDD=3V(TOG、AHLB)

30K

ohm

输出响应时间

VDD=3V、快速模式

VDD=3V、低功耗模式

220

工作电流

ISB

VDD=3V，低功耗模式(无负载)

2.5

VDD=3V，快速模式(无负载)

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